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消息称三星电子300+层3D NAND仍采用双次堆叠


(资料图片仅供参考)

为巩固自身NANDFlash龙头地位,传三星电子计划堆叠300+层的3DNAND仍采用双次堆叠技术,期望通过生产成本优势超越竞争对手。据韩媒引述业界消息,三星预计2024年量产堆叠300+层、第九代3DNAND,预计将继续采用双次堆叠技术。三星从第七代176层3DNAND开始采用双次堆叠技术。一般来说,双次堆叠可以降低产品生产难度,但最大问题是会使生产成本增加。

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